Отправить сообщение
Отправить запрос |
Главная страница ПродукцияПолевой транзистор

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

Все продукты

Интегральные микросхемы

(7037)

Микросхема памяти

(2998)

Сетноой-аналогов амортизатор IC

(2527)

Микроконтроллеры и врезанные процессоры

(5000)

Полевой транзистор

(1837)

Силовой модуль БТИЗ

(1002)

Триод диода

(303)

Общецелевой конденсатор

(41)

Connectors Interconnects

(83)

Индуктор силы SMD

(100)

Компонент реле

(203)

Взрыватели защиты сети

(195)
Оставьте нам сообщение

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

Большие изображения :  AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

Подробная информация о продукте:
Фирменное наименование: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Номер модели: AO4266E
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: Подлежит обсуждению
Цена: Negotiable
Время доставки: Подлежит обсуждению
Условия оплаты: T/T, D/P, D/A, L/C, западное соединение, MoneyGram
Поставка способности: Доступное количество 51208 шт.
контакт

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264

описание
Модель продукта: AO4264E Пакет поставщика: SOP8
Краткое описание: MOSFET Категория продукта: КОМПАРАТОР IC
Зоны применения: Врезанные регуляторы процессоров Дата изготовления: В пределах года
Высокий свет:

AO4264E

,

AO4264E Транзистор с эффектом поля

,

Поверхностный транзистор влияния поля держателя

  • Производитель: Alpha & Omega Semiconductor Inc.

  • Описание: MOSFET транзистор N канал 60V13.5A Мосфет поверхностный монтаж SOP8 4264

  • Категория: Дискритетные полупроводниковые изделия

  • Семейство: транзисторы - FET, MOSFET - одиночные

  • Пакет / чемодан
    8-SOIC (0,154", 3,90 мм ширины)
    Перевозка
    UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
    Состояние
    Новая оригинальная фабрика.
     

    Спецификации

    Серия
    AlphaSGTTM
    Пакет
    Лента и катушка (TR)
    Статус части
    Активный
    Тип FET
    N-канал
    Технологии
    MOSFET (оксид металла)
    Напряжение отхода к источнику (Vdss)
    60 В
    Ток - непрерывный отвод (Id) @ 25°C
    13.5А (Ta)
    Напряжение привода (макс. RDS включено, минимум RDS включено)
    4.5В, 10В
    Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90,8 мОм @ 13,5 А, 10 В
    Vgs(th) (макс.) @ Id
    2.4В @ 250μA
    Загрузка шлюза (Qg) (макс.) @ Vgs
    13 nC @ 4,5 В
    Vgs (макс.)
    ± 20 В
    Вводная емкость (Ciss) (Max) @ Vds
    1100 pF @ 30 В
    Функция FET
    -
    Рассеивание энергии (макс.)
    3.1W (Ta)
    Операционная температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тип установки
    Поверхностный монтаж
    Пакет изделий поставщика
    8-SO
     
     
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 0
Процесс заказа
Добавить части в форму RFQ Отправить RFQ Мы ответим в течение 24 часов.
Вы подтвердите заказ. Оплата Отправьте заказ.

 

 БольшеМикроконтроллеры Модели микросхем
ACS723LLCTR-10AB-T FDC1004DGSR SN74LV1T126DCKR
LMR54410DBVR TS952IDT BAT54S-7-F
SN74ACT244DWR MC9S08QG8CDTER TCA9548ARGERQ1
OPA4348AIPWR LM339 AD5290YRMZ10-R7
AM1808EZWTD4 ADG1407BRUZ TPS76930DBVR
A3P060-TQG144 CD4093BM BQ24295RGER
SN74LV594APWR DS2482S-100 LMZ20502SILT
REF3025AIDBZT MC33887APVW LMV331IDCKR
REF3450IDBVR AT91SAM7X128C-AU TMUX136RSER
DP83TC811RWRNDTQ1 OPA2378AIDCN A4403GEUTR-T
NCP59800BMNADJTBG AQY212GS SN65LVDS4RSET
GS2972-IBE3 AP9985GM 74AHC1G08GW
PIC16F74-I/P AT24CM01-SSHD TPS61160DRVR
LMR33630AQRNXRQ1 LM25184NGUR IS61WV51216BLL-10TLI
IRFB38N20DPBF LM7332MA HEF4011BT
DN2470K4-G MIC29300-3.3WT MPC5566MZP132
PCA9506DGG ADG708BRUZ LM78L05AIMX/NOPB
MGA-62563-TR1G MAX3232EEAE MIMXRT1051CVJ5B
FDS6675BZ AD8031ARTZ 74HC541D
DRV8850RGYR OPA2330 ADG5412BRUZ
Диаграмма чипа
AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 1AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 2AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 3AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 4

Отзывы

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 5
    Саманта Смит
    Заказанные электронные компоненты прибыли вовремя и в отличном состоянии. Я впечатлен качеством продукции и уровнем обслуживания, оказанным продавцом.
    27 мая 2018 года
  1. AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 6
    Адам Тейлор
    Я настоятельно рекомендую этот продавец всем, кто хочет купить электронные компоненты. Цены конкурентоспособны, а доставка была быстрой и эффективной.Продукты, которые я получил, были точно такими, как описано., и я очень доволен своей покупкой.
    16 апреля 2019 года

 

  1. AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 7
    Хелена Гарсия
    Я очень доволен электронными компонентами, которые я получил от этого продавца.Продавец также был очень полезен, отвечая на мои вопросы и помогая мне с покупкойЯ обязательно куплю у них снова в будущем.
    2 января 2020 года

AO4264E Транзистор с эффектом поля N канал 60V 13.5A Мосфетная поверхность SOP8 4264 8

Описание

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Приобретение

Вы можете разместить заказ без регистрации на integratedcircuitsics.com.
Мы настоятельно рекомендуем вам зарегистрироваться перед покупкой, так как вы можете отслеживать заказ в режиме реального времени.

Средства оплаты

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

RFQ (запрос о ценах)

Рекомендуется запрашивать предложения, чтобы получить последние цены и запасы по части.
Наши продавцы ответят на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важное уведомление

1. Вы получите информацию о заказе по электронной почте в своем почтовом ящике. (Пожалуйста, не забывайте проверить папку спама, если вы не слышали от нас).
2Поскольку запасы и цены могут колебаться в некоторой степени, менеджер по продажам подтвердит заказ и сообщит вам, если есть какие-либо обновления.

тег:

Транзистор влияния поля FET,

Транзистор Mosfet силы,

Транзистор влияния поля обломока 75VPower Mosfet

Контактная информация
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Контактное лицо: Darek

Телефон: +8615017926135

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

Модель продукта: AOSS32136C

Пакет поставщика: СОТ-23

Краткое описание: MOSFET N-CH 20V6.5A 3-Pin SOT-23

Категория продукта: Полевые транзисторы - Single
Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Транзисторы полупроводников IRFB4110PBF дискретные для защиты сети

Модель продукта: IRFB4110PBF

Пакет поставщика: ТО-220-3

Краткое описание: МОП-транзистор

Категория продукта: Полевой транзистор
Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Полупроводники IRFS3207ZTRRPBF Mosfet транзистора влияния поля канала n дискретные

Модель продукта: IRFS3207ZTRRPBF

Пакет поставщика: TO-263-3

Краткое описание: МОП-транзистор

Полярность транзистора: N-канал
Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Обломок IPD060N03LGATMA1 транзистора Mos силы защиты сети

Модель продукта: IPD060N03LGATMA1

Пакет поставщика: TO-252-3

Краткое описание: MOSFET N-CH 30V 50A

Категория продукта: FETs - одиночные
Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Защита сети IRF8736TRPBF 30V 18A обломока транзистора влияния поля SMD/SMT

Модель продукта: IRF8736TRPBF

Пакет поставщика: SOIC-8

Краткое описание: MOSFET MOSFT 30V 18A 4.8mOhm 17nC

Категория продукта: Полевые транзисторы - Single
около

Интегральные микросхемы

Цепь 48TQFP CY7C65632-48AXC USB ICS интегральных схема полупроводника Cypress монолитовая

Обломок датчика уровня горючего TI BQ20Z65DBTR-R1 ICS интегральных схема управления батареи

Инфракрасн IR2110STRPBF водителей регуляторов зажигания ICs интегральных схема SMD/SMT

Микроконтроллеры STM32F405RGT6 и врезанная ВСПЫШКА St 1024 процессоров MCU

STM32F407VET6 интегральные схемаы ICs

MCU врезало процессоры & регуляторы STM32F103RCT6

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший качество Интегральные микросхемы поставщик. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.