Módulo IGBT de transistor bipolar de porta isolada APT50GT60BRDQ2G Microsemi Corporation 50GT60
APT50GT60BRDQ2G
,Transistor bipolar isolado IGBT da porta
,IGBT isolou o transistor bipolar da porta
APT50GT60BRDQ2G Módulo de potência IGBT Transistores IGBTs Simples
Especificações APT50GT60BRDQ2G
| Estado da peça | Ativo |
|---|---|
| Tipo IGBT | NPT |
| Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 600V |
| Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 110A |
| Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 150A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2,5 V @ 15 V, 50 A |
| Potência - Máx. | 446 W |
| Energia de comutação | 995µJ (ligado), 1070µJ (desligado) |
| Tipo de entrada | Padrão |
| Taxa de Portão | 240nC |
| Td (ligado/desligado) @ 25°C | 14ns/240ns |
| Condição de teste | 400 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 22ns |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do orifício |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247 [B] |
| envio | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| condição | Nova fábrica original |
Embalagem APT50GT60BRDQ2G
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