Wyślij wiadomość
Dom ProduktyTranzystor polowy

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Im Online Czat teraz

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Duży Obraz :  NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Oryginalny
Zapłata:
Minimalne zamówienie: do negocjacji
Cena: Negotiable
Czas dostawy: do negocjacji
Zasady płatności: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: 100000

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Opis
Numer części: NTJD1155LT1G Producent: ON Półprzewodnikowy
Opis: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 Kategoria: Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze
Rodzina: Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze

NTJD1155LT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 400mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTJD1155LT1G Packaging

Detection

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

Szczegóły kontaktu
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Osoba kontaktowa: Darek

Tel: +8615017926135

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)