Wyślij wiadomość
Do domu > produkty > Tranzystor polowy > Zabezpieczenie obwodu Power Mos Tranzystor Chip IPD060N03LGATMA1

Zabezpieczenie obwodu Power Mos Tranzystor Chip IPD060N03LGATMA1

Kategoria:
Tranzystor polowy
Cena £:
negocjowalne
Metoda płatności:
T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Specyfikacje
Model produktu:
IPD060N03LGATMA1
Pakiet Dostawcy:
TO-252-3
Krótki opis:
MOSFET N-CH 30V 50A
Kategoria produktu:
FET — pojedyncze
Obszary zastosowania:
Chip ochrony obwodu
Data produkcji:
W ciągu roku
Podkreślić:

Power Mos Tranzystor Chip

,

Ochrona Obwodu Tranzystor Mocy Mos

Wprowadzenie

Układ scalony tranzystora polowego Dyskretne półprzewodniki Zabezpieczenie obwodu IPD060N03LGATMA1

 

Zakres produktów
  • OptiMOSª3 Tranzystor mocy, MOSFET N-CH 30V 50A TO-252
Podstawowe dane

 

Atrybut produktu Wartość atrybutu
Infineon
Kategoria produktu: MOSFET
RoHS: Detale
Si
SMD/SMT
TO-252-3
Kanał N
1 kanał
30 V
50 A
6 megaomów
- 20 V, + 20 V
2,2 V
14,4 nC
- 55 C
+ 175 C
56 W
Wzmocnienie
OptiMOS
Rolka
Wytnij taśmę
Marka: Technologie firmy Infineon
Konfiguracja: Pojedynczy
Czas upadku: 3 ns
Transkonduktancja do przodu - min.: 34 s
Wysokość: 2,3 mm
Długość: 6,5 mm
Rodzaj produktu: MOSFET
Czas narastania: 3 ns
Seria: OptiMOS 3
2500
Podkategoria: MOSFETy
Typ tranzystora: 1 kanał N
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 20 sekund
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5 ns
Szerokość: 6,22 mm
Część # Aliasy: IPD060N03L G SP000680632
Masa jednostkowa: 0,011640 uncji
Aplikacja
  • Przełączanie aplikacji
  • Silniki BLDC
  • Trójfazowe silniki synchroniczne z magnesami trwałymi
  • Inwertery
  • Sterowniki półmostkowe
  • Robotyczne systemy sterowania
  • Urządzenia
  • Infrastruktura sieciowa
  • EPOS • Kino domowe
  • Rozproszone systemy zasilania
  • Infrastruktura komunikacyjna/sieciowa
POBIERZ KARTĘ DANYCH
  • IPD060N03LGATMA1 Układ tranzystora polowego Dyskretne półprzewodniki Zabezpieczenie obwodu
Proces zamówienia

 

Dodaj części do formularza ZO Prześlij zapytanie ofertowe Odpowiadamy w ciągu 24 godzin
Potwierdzasz zamówienie Zapłata Wyślij swoje zamówienie

 

Więcej modeli FET
AO3400A AO3401A AO3402 AO3403 AO3404 AO3406A
AO3407A AO3409A AO3413 AO3414 AO3415 AO3416
AO3418 AO3419 AO3420 AO3421 AO3423 AO3422
AO3424 AO3434 AO3442 AO3480C AO3481C  

AO4409

AO4822 AO4803 AO4807 AO4468 AO4459
AO4410 AO4838 AO4407A AO4620 AO9926B AO4419
AO4423 AO4430 AO4485 AO4435 AO4440 AO4406L
AO4405 AO4459 AO4468 AO4611 AO4712 AO4805
AO4842 AO4828 AO4452 AO4614BL

AO4800

AO4433
AO4420 AO4818 AO4476AL AO4478 AO4606 AO4616

AO8810

AO8804 AO8814 AO8822 AO8820 AO8822
AO8830 AOT470 AOT472 AOT430 AOT410L AO6801
AO6601 AO6800 AO6808 AO6601 AO6615

AOD403

AOD407 AOD409 AOD413 AOD417 AOD4132 AOD484
AOD4184L AOD472 AOD413A AOD464 AOD2916 AOD4186
AOD454 AOD480 AOD4144 AOD496

AOZ1016AI

AOZ1050AI
AOZ1073AI AOZ1046AI AOZ1036PI AOZ1050PI AOZ1280CI AOZ1284I
Schemat układu

Zabezpieczenie obwodu Power Mos Tranzystor Chip IPD060N03LGATMA1Zabezpieczenie obwodu Power Mos Tranzystor Chip IPD060N03LGATMA1

Wyślij zapytanie ofertowe
Magazyn:
MOQ:
Negotiable