|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | SIB912DK-T1-GE3 | Producent: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6 | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze | Seria: | TrenchFET® |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | 2 kanały N (podwójne) |
| Funkcja FET | Bramka poziomu logicznego |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 20V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 1,5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216 mOhm przy 1,8 A, 4,5 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 1 V przy 250µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 3nC przy 8V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 95 pF przy 10 V |
| Moc — maks | 3,1 W |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | PowerPAK® SC-75-6L Podwójny |
| Pakiet urządzeń dostawcy | PowerPAK® SC-75-6L Podwójny |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
