Wyślij wiadomość
Dom ProduktyTranzystor polowy

IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice

Im Online Czat teraz

IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice

IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice
IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice

Duży Obraz :  IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: Oryginalny
Zapłata:
Minimalne zamówienie: do negocjacji
Cena: Negotiable
Czas dostawy: do negocjacji
Zasady płatności: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: 100000

IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice

Opis
Numer części: IRF9952 Producent: Technologie firmy Infineon
Opis: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC Kategoria: Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze
Rodzina: Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze Seria: HEXFET®

Specyfikacje IRF9952

Stan części Przestarzały
Typ FET Kanał N i P
Funkcja FET Bramka poziomu logicznego
Napięcie od drenu do źródła (Vdss) 30V
Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C 3,5 A, 2,3 A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm przy 2,2 A, 10 V
Vgs(th) (Maks.) @ Id 1 V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs 14nC przy 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds 190 pF przy 15 V
Moc — maks 2W
temperatura robocza -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Opakowanie / etui 8-SOIC (0,154", 3,90 mm szerokości)
Pakiet urządzeń dostawcy 8-SO
Wysyłka UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Stan Nowa oryginalna fabryka.

Opakowanie IRF9952

Wykrycie

IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice 0IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice 1IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice 2IRF9952 Tranzystor polowy Tranzystory Tranzystory FET MOSFET Tablice 3

Szczegóły kontaktu
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Osoba kontaktowa: Darek

Tel: +8615017926135

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)