|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | DMG6602SVT-7 | Producent: | Zawarte diody |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Macierze |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N i P |
| Funkcja FET | Bramka poziomu logicznego |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 30V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 3,4A, 2,8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm przy 3,1 A, 10 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 2,3 V przy 250 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 13nC przy 10V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 400 pF przy 15 V |
| Moc — maks | 840 mW |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Opakowanie / etui | SOT-23-6 cienki, TSOT-23-6 |
| Pakiet urządzeń dostawcy | TSOT-23-6 |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
