|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | DMS3015SSS-13 | Producent: | Zawarte diody |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET N-CH 30V 11A 8SO | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał N |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 30V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 11A (Ta) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 4,5 V, 10 V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 2,5 V przy 250 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 30,6 nC przy 10 V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 1276 pF przy 15 V |
| Vgs (maks.) | ±12 V |
| Funkcja FET | Dioda Schottky'ego (korpus) |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 1,55 W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11,9 mOhm przy 11 A, 10 V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | 8-SO |
| Opakowanie / etui | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm szerokości) |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
