|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | SI4427BDY-T1-GE3 | Producent: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | TrenchFET® |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał P |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 30V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 9,7A (Ta) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | 10V |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 1,4 V przy 250 µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 70nC przy 4,5V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | - |
| Vgs (maks.) | ±12 V |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 1,5 W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10,5 mOhm przy 12,6 A, 10 V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | 8-SO |
| Opakowanie / etui | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm szerokości) |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
