|
Szczegóły Produktu:
|
| Numer części: | BSR315PH6327XTSA1 | Producent: | Technologie firmy Infineon |
|---|---|---|---|
| Opis: | MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 | Kategoria: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze |
| Rodzina: | Tranzystory - FET, MOSFET - Pojedyncze | Seria: | SIPMOS® |
| Stan części | Aktywny |
|---|---|
| Typ FET | Kanał P |
| Technologia | MOSFET (tlenek metalu) |
| Napięcie od drenu do źródła (Vdss) | 60V |
| Prąd — ciągły drenaż (Id) przy 25°C | 620mA (Ta) |
| Napięcie napędu (maks. Rds włączone, min. Rds włączone) | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id | 2 V przy 160µA |
| Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs | 6nC przy 10V |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 176 pF przy 25 V |
| Vgs (maks.) | - |
| Funkcja FET | - |
| Rozpraszanie mocy (maks.) | 500 mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 620mA, 10V |
| temperatura robocza | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Typ mocowania | Montaż powierzchniowy |
| Pakiet urządzeń dostawcy | PG-SC-59 |
| Opakowanie / etui | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Wysyłka | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| Stan | Nowa oryginalna fabryka. |
Osoba kontaktowa: Darek
Tel: +8615017926135
