MK20DX256VMD10マイクロ制御回路および埋め込まれたプロセッサIC MCUの抜け目がない破片32BIT 256KBのフラッシュ144BGA
仕様
部品番号:
MK20DX256VMD10
製造業者:
NXP USA Inc。
記述:
IC MCU 32BIT 256KBのフラッシュ144BGA
部門:
埋め込まれる-マイクロ制御回路
家族:
埋め込まれる-マイクロ制御回路
シリーズ:
Kinetis K20
紹介
MK20DX256VMD10指定
内部部品番号 | MK20DX256VMD10 | |
無鉛状態/RoHSの状態 | 迎合的な無鉛/RoHS | |
湿気感受性のレベル(MSL) | 3 (168時間) | |
生産の状態(ライフサイクル) | 生産 | |
条件 | 新しい及び未使用、密封される元 | |
設計資源 | 開発ツールのセレクター | |
PCNの設計/指定 | KINETIS K、LのCOLDFIRE+の誤りは2013年10月17日を更新する マスクの修正および誤りの更新2014年1月16日 |
|
標準パッケージ | 160 | |
部門 | 集積回路(IC) | |
家族 | 埋め込まれる-マイクロ制御回路 | |
シリーズ | Kinetis K20 | |
包装 | 皿 | |
中心プロセッサ | ARM® Cortex®-M4 | |
コア サイズ | 32ビット | |
速度 | 100MHz | |
結合性 | 缶、EBI/EMIのIの² C、IrDA、SD、SPI、UART/USART、USB、USB OTG | |
ペリフェラル | DMAのIの² S、LVD、POR、PWM、WDT | |
入力/出力の数 | 100 | |
プログラム記憶容量 | 256KB (256K X 8) | |
プログラム記憶タイプ | フラッシュ | |
EEPROMのサイズ | 4K X 8 | |
RAMのサイズ | 64K X 8 | |
電圧-供給(Vcc/Vdd) | 1.71 V | 3.6ボルト | |
データ変換装置 | A/D 42x16b、D/A 2x12b | |
発振器のタイプ | 内部 | |
実用温度 | -40°C | 105°C | |
パッケージ/場合 | 144-LBGA | |
製造者装置パッケージ | 144-MAPBGA (13x13) | |
重量 | 0.001 KG | |
適用 | 細部については電子メール | |
代わりとなる部分(取り替え) | MK20DX256VMD10 | |
関連リンク | MK20DX2のMK20DX256VMD10データ用紙、NXPの半導体/フリースケール・セミコンダクタ、Inc. Distributor |
MK20DX256VMD10のための関連の部品
STM32WLE5JCI6 | MSP430F2418TPMR | TL7705ACDR | TL720M05QPWPRQ1 |
PIC16F876A-I/SS | LMZ13610TZ/NOPB | M95256-DRMN3TP/K | TDA2822M |
LT4256-2IS8 | RTL8306N-GR | PCF8576DT/2 | MC9S08AC60CPUE |
マイクロチップ | ESD5Z6.0T1G | TPSM82866AA0SRDJR | NRVTSS3100ET3G |
LC898128DP1XGTBG | P2020NXN2MHC | PIC16F917-I/PT | ADS127L01IPBS |
TPS7B4250QDBVRQ1 | STP75NF75 | 24AA64T-I/SN | STM32F777VIH6 |
TL431ACDBZR | AD9958BCPZ | XC6SLX9-2CSG324I | AD8418ABRMZ |
FDMC86139P | NCN5150DR2G | BAT54 | NRVHP220SFT3G |
MC74HC595ADTR2G | MC33907NAE | PCA9698DGG | LPC4357JBD208E |
MK20DX256VMD10包装
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