Name: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H
Brand: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H
SKU: Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H
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Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H

ECH8601M-P-TL-H Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Capacità di alimentazione:	100000

Contatto

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H

descrizione

Numero del pezzo:	ECH8601M-P-TL-H	Produttore:	Sul semiconduttore
Descrizione:	MOSFET 2N-CH ECH8	Categoria:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici
Famiglia:	Transistor - FETs, MOSFETs - matrici	Serie:	*

Specifiche di ECH8601M-P-TL-H

Stato della parte	Affare di ultima volta
Tipo del FET	-
Caratteristica del FET	-
Vuoti a tensione di fonte (Vdss)	-
Corrente - scolo continuo (identificazione) @ 25°C	-
RDS (massimo) @ sull'identificazione, Vgs	-
Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @	-
Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs	-
Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds	-
Massimo elettrico	-
Temperatura di funzionamento	-
Montaggio del tipo	-
Pacchetto/caso	-
Pacchetto del dispositivo del fornitore	-
Spedizione	UPS/EMS/DHL/FedEx preciso.
Circostanza	Nuova fabbrica originale.

Imballaggio di ECH8601M-P-TL-H

Rilevazione

Matrici dei MOSFETs dei FETs dei transistor del transistor di effetto di campo di ECH8601M-P-TL-H

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