أرسل رسالة
طلب اقتباس |
منزل المنتجاتحقل التأثير الترانزستور

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

جميع المنتجات

الدوائر المتكاملة ICS

(7037)

شريحة ذاكرة IC

(2998)

IC المعزل التناظري

(2527)

المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة

(5000)

حقل التأثير الترانزستور

(1839)

وحدة الطاقة IGBT

(1002)

الصمام الثنائي

(303)

مكثف للأغراض العامة

(41)

Connectors Interconnects

(83)

محث الطاقة SMD

(100)

مكون التتابع

(203)

صمامات حماية الدائرة

(195)
ابن دردش الآن

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال
قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

صورة كبيرة :  قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

تفاصيل المنتج:
اسم العلامة التجارية: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
رقم الموديل: STW48N60DM2
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: قابل للتفاوض
الأسعار: Negotiable
وقت التسليم: قابل للتفاوض
شروط الدفع: T / T ، D / P ، D / A ، L / C ، ويسترن يونيون ، موني جرام
القدرة على العرض: الكميات المتوفرة 51208 قطعة
اتصل

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال

وصف
موديل المنتج: STW48N60DM2 حزمة المورد: TO-247
وصف مختصر: موسفيت فئة المنتج: مقارنة IC
مجالات التطبيق: وحدات تحكم المعالجات المدمجة تاريخ التصنيع: في غضون عام

  1. ثنائي الهيكل سريع الانتعاش
  2. شحنة بوابة منخفضة للغاية وقدرة الدخول
  3. مقاومة منخفضة
  4. 100% اختبار الهولونة
  5. صلابة dv/dt عالية للغاية
  • محمية من زينر
  1. التطبيقات
  • تغيير التطبيقات
  • الوصف
  • هذا الجهد العالي القناة N الطاقة MOSFET هو جزء من MDmesh TM DM2 سلسلة ثنائيات الاسترداد السريع. فإنه يوفر شحنة استرداد منخفضة جدا (Qrr) والوقت (trr) جنبا إلى جنب مع RDS منخفضة ((on) ،مما يجعلها مناسبة لأكثر محولات الكفاءة العالية متطلبة ومثالية لتوبولوجيا الجسر ومحولات التحول المرحلي ZVS

  •  

عملية الطلب
إضافة أجزاء إلى نموذج RFQ إرسال RFQ سنرد خلال 24 ساعة
أنت تؤكد الطلب الدفع أرسلي طلبك

 

 المزيدأجهزة التحكم الدقيقة نماذج رقاقة IC
ACS723LLCTR-10AB-T FDC1004DGSR SN74LV1T126DCKR
LMR54410DBVR TS952IDT المواد المستخدمة في المواد المستخدمة في المواد المستخدمة في المواد
SN74ACT244DWR MC9S08QG8CDTER TCA9548ARGERQ1
OPA4348AIPWR LM339 AD5290YRMZ10-R7
AM1808EZWTD4 ADG1407BRUZ TPS76930DBVR
A3P060-TQG144 CD4093BM BQ24295RGER
SN74LV594APWR DS2482S-100 LMZ20502SILT
REF3025AIDBZT MC33887APVW LMV331IDCKR
REF3450IDBVR AT91SAM7X128C-AU TMUX136RSER
DP83TC811RWRNDTQ1 OPA2378AIDCN A4403GEUTR-T
NCP59800BMNADJTBG AQY212GS SN65LVDS4RSET
GS2972-IBE3 AP9985GM 74AHC1G08GW
PIC16F74-I/P AT24CM01-SSHD TPS61160DRVR
LMR33630AQRNXRQ1 LM25184NGUR IS61WV51216BLL-10TLI
IRFB38N20DPBF LM7332MA HEF4011BT
DN2470K4-G MIC29300-3.3WT MPC5566MZP132
PCA9506DGG ADG708BRUZ LM78L05AIMX/NOPB
MGA-62563-TR1G MAX3232EEAE MIMXRT1051CVJ5B
FDS6675BZ AD8031ARTZ 74HC541D
DRV8850RGYR OPA2330 ADG5412BRUZ
مخطط الشريحة
قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 0قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 1قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 2

المراجعات

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

  1. قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 3
    سامانثا سميث
    وصلت المكونات الإلكترونية التي طلبتها في الوقت المحدد وفي حالة ممتازة. أنا معجبة بجودة المنتجات ومستوى الخدمة التي يقدمها البائع.
    27 مايو 2018
  1. قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 4
    (آدم تايلور)
    أوصي بشدة بهذا البائع لأي شخص يتطلع لشراء مكونات إلكترونية الأسعار تنافسية والشحن كان سريعا وفعالاالمنتجات التي تلقيتها كانت كما وصفت بالضبط، وأنا راض جدا عن شراء بلدي.
    16 أبريل 2019

 

  1. قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 5
    هيلينا غارسيا
    أنا راض جدا عن المكونات الإلكترونية التي تلقيتها من هذا البائع. كانت العناصر معبأة بشكل جيد، وكان التسليم سريعا.كان البائع أيضا مفيد جدا في الإجابة على أسئلتي وتقديم المساعدة في شرائيسأشتري منهم بالتأكيد مرة أخرى في المستقبل
    2 يناير 2020

قناة ن 600 فولت، 0.065 Ω عادة، 40A MOSFET الطاقة في حزمة TO-247 STW48N60DM2 ترانزستور تأثير المجال 6

الوصف

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

شراء

يمكنك أن تضع طلب بدون تسجيل على integratedcircuitsics.com.
نقترح بشدة عليك التسجيل قبل الشراء حيث يمكنك تتبع طلبك في الوقت الحقيقي.

وسائل الدفع

من أجل راحتك، نقبل طرق دفع متعددة بالدولار الأمريكي، بما في ذلك PayPal وبطاقة الائتمان والتحويلات النقدية.

RFQ (طلب الاقتباسات)

يوصى بطلب عروض الأسعار للحصول على أحدث الأسعار والمخزونات عن الجزء.
ستجيب مبيعاتنا على طلبك عبر البريد الإلكتروني خلال 24 ساعة.

إشعار مهم

1سوف تتلقى رسالة إلكترونية بمعلومات الطلب في صندوق الواردات الخاص بك. (يرجى تذكر التحقق من مجلد البريد المزعج إذا لم تسمع منا).
2بما أن المخزونات والأسعار قد تتقلب إلى حد ما فإن مدير المبيعات سيعيد تأكيد الطلب

بطاقة:

ترانزستور تأثير حقل FET,

ترانزستور موسفيت للطاقة,

رقاقة موسفيت 75 فولت ترانزستور تأثير مجال الطاقة

تفاصيل الاتصال
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

اتصل شخص: Darek

الهاتف :: +8615017926135

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

حول

الدوائر المتكاملة ICS

الدوائر المتكاملة لأشباه الموصلات من السرو ICS USB Monolithic Circuit 48TQFP CY7C65632-48AXC

إدارة البطارية الدوائر المتكاملة ICS TI BQ20Z65DBTR-R1 رقاقة مقياس الوقود

SMD / SMT الدوائر المتكاملة المرحلية التحكم في الإشعال السائقين IR IR2110STRPBF

STM32F405RGT6 المتحكمات الدقيقة والمعالجات المدمجة MCU St 1024 FLASH

الدوائر المتكاملة STM32F407VET6 المرحلية

وحدات تحكم ومعالجات MCU المضمنة STM32F103RCT6

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة الدوائر المتكاملة ICS المزود. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.