Gửi tin nhắn
Nhà Sản phẩmTransitor hiệu ứng trường

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays
NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Hình ảnh lớn :  NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: Nguyên bản
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: có thể thương lượng
Giá bán: Negotiable
Thời gian giao hàng: có thể thương lượng
Điều khoản thanh toán: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Khả năng cung cấp: 100000

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Sự miêu tả
một phần số: NTJD1155LT1G nhà chế tạo: BẬT chất bán dẫn
Sự miêu tả: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 loại: Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng
Gia đình: Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng

NTJD1155LT1G Specifications

Part Status Active
FET Type N and P-Channel
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Power - Max 400mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

NTJD1155LT1G Packaging

Detection

NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2NTJD1155LT1G Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

Chi tiết liên lạc
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Người liên hệ: Darek

Tel: +8615017926135

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)