|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| một phần số: | SI5515CDC-T1-GE3 | nhà chế tạo: | Vishay Siliconix |
|---|---|---|---|
| Sự miêu tả: | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | loại: | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng |
| Gia đình: | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng | Loạt: | RãnhFET® |
| Tình trạng một phần | Tích cực |
|---|---|
| Loại FET | Kênh N và P |
| Tính năng FET | Cổng mức logic |
| Xả điện áp nguồn (Vdss) | 20V |
| Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C | 4A |
| Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss | 36 mOhm @ 6A, 4,5V |
| Vss(th) (Tối đa) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss | 11,3nC @ 5V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds | 632pF @ 10V |
| Sức mạnh tối đa | 3.1W |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Bề mặt gắn kết |
| Gói / Trường hợp | 8-SMD, chì phẳng |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | 1206-8ChipFET™ |
| lô hàng | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| điều kiện | Nhà máy ban đầu mới. |
Người liên hệ: Darek
Tel: +8615017926135
