|
Thông tin chi tiết sản phẩm:
|
| một phần số: | RQ3E100BNTB | nhà chế tạo: | Rohm bán dẫn |
|---|---|---|---|
| Sự miêu tả: | MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8 | loại: | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn |
| Gia đình: | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn |
| Tình trạng một phần | Tích cực |
|---|---|
| Loại FET | kênh N |
| Công nghệ | MOSFET (Ôxít kim loại) |
| Xả điện áp nguồn (Vdss) | 30V |
| Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Ổ điện áp (Max Rds On, Min Rds On) | 4,5V, 10V |
| Vss(th) (Tối đa) @ Id | 2,5V @ 1mA |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vss | 22nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| VGS (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Tản điện (Tối đa) | 2W (Ta) |
| Rds Bật (Tối đa) @ Id, Vss | 10,4 mOhm @ 10A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Bề mặt gắn kết |
| Gói thiết bị nhà cung cấp | 8-HSMT (3.2x3) |
| Gói / Trường hợp | 8-PowerVDFN |
| lô hàng | UPS/EMS/DHL/FedEx Express. |
| điều kiện | Nhà máy ban đầu mới. |
Người liên hệ: Darek
Tel: +8615017926135
