Gửi tin nhắn
Nhà > các sản phẩm > Transitor hiệu ứng trường > Bán dẫn Công suất Bóng bán dẫn Mosfet Kênh N STB24N60DM2

Bán dẫn Công suất Bóng bán dẫn Mosfet Kênh N STB24N60DM2

Nhóm:
Transitor hiệu ứng trường
Giá bán:
Negotiable
Phương thức thanh toán:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Thông số kỹ thuật
Dòng sản phẩm:
STB24N60DM2
gói nhà cung cấp:
TO-263-3
Mô tả ngắn gọn:
MOSFET
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Lĩnh vực ứng dụng:
Chuyển đổi ứng dụng
Ngày sản xuất:
Trong vòng một năm
Làm nổi bật:

Bán dẫn Transistor Mosfet công suất

,

Transistor Mosfet công suất kênh N

,

STB24N60DM2

Lời giới thiệu
Phạm vi sản phẩm
  • STB24N60DM2 Chất bán dẫn Bóng bán dẫn Mosfet công suất Bóng bán dẫn hiệu ứng trường Kênh chữ N rời rạc
  • Kênh N 600 V, loại 0,13 Ω, 21 A MOSFET công suất MDmesh™ DM2 trong gói D²PAK, TO-220 và TO-247
Đặc điểm ứng dụng
  1. Đặc trưng
  • Diode cơ thể phục hồi nhanh
  • Điện dung cổng và điện dung đầu vào cực thấp
  • Điện trở thấp
  • Đã kiểm tra tuyết lở 100%
  • Độ chắc chắn dv/dt cực cao
  • bảo vệ Zener
  1. Sự miêu tả
  • Các MOSFET công suất kênh N điện áp cao này là một phần của sê-ri đi-ốt phục hồi nhanh MDmesh™ DM2.Chúng cung cấp mức phí khôi phục (Qrr) và thời gian (trr) rất thấp kết hợp với RDS(on) thấp, khiến chúng phù hợp với những bộ chuyển đổi hiệu suất cao đòi hỏi khắt khe nhất và lý tưởng cho cấu trúc liên kết cầu và bộ chuyển đổi dịch pha ZVS.
Dữ liệu cơ bản
Thuộc tính sản phẩm Giá trị thuộc tính
STMicro điện tử
Danh mục sản phẩm: MOSFET
RoHS: Chi tiết
SMD/SMT
TO-263-3
kênh N
1 kênh
600 V
18 A
200 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
29 nC
- 55 độ C
+ 150C
150W
Sự nâng cao
FDmesh
cuộn
cắt băng
cuộn
Thương hiệu: STMicro điện tử
Cấu hình: Đơn
Giảm thời gian: 15 giây
Loại sản phẩm: MOSFET
Thời gian tăng: 8,7 giây
Loạt: STB24N60DM2
1000
tiểu thể loại: MOSFET
Thời gian trễ tắt điển hình: 60 giây
Thời gian trễ bật điển hình: 15 giây
Đơn vị trọng lượng: 0,139332 oz
TẢI XUỐNG BẢNG DỮ LIỆU
Đăng kí 
  • Chuyển đổi ứng dụng
  • động cơ BLDC
  • Động cơ đồng bộ nam châm vĩnh cửu ba pha
  • biến tần
  • Trình điều khiển nửa cầu
  • Hệ thống điều khiển robot
  • thiết bị gia dụng
  • Hạ tầng lưới điện
  • EPOS • Rạp hát tại nhà
  • Hệ thống điện phân tán
  • Cơ sở hạ tầng truyền thông/mạng
Quá trình đặt hàng

 

Thêm các bộ phận vào biểu mẫu RFQ Gửi RFQ Chúng tôi trả lời trong vòng 24 giờ
Bạn xác nhận đơn hàng Sự chi trả Gửi đơn đặt hàng của bạn
Các mẫu MOSFET khác

 

STB30NF20 STB18NF25 STB32NM50N STB15N80K5 STB21N90K5
STB24N60DM2 STB15810 STB75NF20 STB6N60M2 STB46NF30
IRFB3207PBF IRFB38N20DPBF IRFB3306PBF IRFB5615PBF IRFB4310ZPBF
IRFB4110PBF IRFB4127PBF IRFB7730PBF IRFB7440PBF IRFB7537PBF
Mạch tích hợp Ics
SSD2832G24 SSD2830QL9 SSD2829QL9 SSD2861QN10 SSD2858K1
SSD2848K1 SSD2828QN4 SSD2805CG39R SSD1963G41 A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHA MIC28514T-E/PHA MIC28513-1YFL-TR MIC28516T-E/PHA MIC28510YJL-TR
TPS54160DGQR TPS54160ADRCR TPS54140ADRCR TPS5410MDREP TPS54336ADDAR
LM2596SXADJ LM2596SX-3.3 LM2596SX-5.0 LM2596SX-12 DRV8312DDWR
Vi điều khiển-MCU
STM8S003F3P6 STM8S003F3U6TR STM8S003K3T6C STM8S003F3P6TR STM8S003K3T6CT
STM8S005C6T6C STM8S005K6T6C STM8S103K3T6C STM8S105K6T6C Nhiều mô hình IC hơn
STM32F030R8T6 STM32F030C6T6 STM32F030F4P6 STM32F030C8T6 STM32F030K6T6
STM32F030R8T6TR STM32F030CCT6 STM32F030RCT6 STM32F030K6T6T STM32F030CCT6TR
STM32F042C6T6 STM32F042K6T6 STM32F042K4U6 STM32F042F6P7 STM32F042F4P6TR
STM32F042K6U7 STM32F042G4U6 STM32F042F4P6 STM32F042C6U7 STM32F042K6T7
Sơ đồ chip

Bán dẫn Công suất Bóng bán dẫn Mosfet Kênh N STB24N60DM2

Bán dẫn Công suất Bóng bán dẫn Mosfet Kênh N STB24N60DM2

Gửi RFQ
Cổ phần:
MOQ:
Negotiable