ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: BSM300D12P2E001 ผู้ผลิต: สารกึ่งตัวนำ Rohm
คำอธิบาย: มอสเฟต 2N-CH 1200V 300A หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์

ข้อมูลจำเพาะ BSM300D12P2E001

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET 2 N-Channel (ฮาล์ฟบริดจ์)
คุณสมบัติ FET มาตรฐาน
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 1200V (1.2kV)
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 300A
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 4V @ 68mA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs -
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 35000pF@10V
กำลัง - สูงสุด 1875ว
อุณหภูมิในการทำงาน -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง ติดแชสซี
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง โมดูล
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ โมดูล
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

BSM300D12P2E001 บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2BSM300D12P2E001 ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ