ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: NTHC5513T1G ผู้ผลิต: บนเซมิคอนดักเตอร์
คำอธิบาย: มอสเฟต N/P-CH 20V 1206A หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์

ข้อมูลจำเพาะ NTHC5513T1G

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET N และ P-Channel
คุณสมบัติ FET ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 20V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 2.9A, 2.2A
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 80 มิลลิโอห์ม @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 1.2V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 4nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 180pF @ 10V
กำลัง - สูงสุด 1.1ว
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง 8-SMD, ตะกั่วแบน
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ ChipFET ™
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

NTHC5513T1G บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2NTHC5513T1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ