ส่งข้อความ
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์
NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ภาพใหญ่ :  NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000

NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: NTZD5110NT1G ผู้ผลิต: บนเซมิคอนดักเตอร์
คำอธิบาย: มอสเฟต 2N-CH 60V 0.294A SOT563 หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์

ข้อมูลจำเพาะ NTZD5110NT1G

สถานะชิ้นส่วน คล่องแคล่ว
ประเภท FET 2 N-ช่องสัญญาณ (คู่)
คุณสมบัติ FET ประตูระดับลอจิก
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) 60V
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C 294mA
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs 1.6 โอห์ม @ 500mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส 2.5V @ 250µA
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds 24.5pF @ 20V
กำลัง - สูงสุด 250mW
อุณหภูมิในการทำงาน -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง พื้นผิวติด
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ สทศ-563
การจัดส่ง UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส
สภาพ ใหม่เดิมโรงงาน.

NTZD5110NT1G บรรจุภัณฑ์

การตรวจจับ

NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 0NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 1NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 2NTZD5110NT1G ทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ ทรานซิสเตอร์ FETs MOSFETs อาร์เรย์ 3

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ