|
รายละเอียดสินค้า:
|
| ส่วนจำนวน: | RQ3E100BNTB | ผู้ผลิต: | สารกึ่งตัวนำ Rohm |
|---|---|---|---|
| คำอธิบาย: | มอสเฟต N-CH 30V 10A HSMT8 | หมวดหมู่: | ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว |
| ตระกูล: | ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - เดี่ยว |
| สถานะชิ้นส่วน | คล่องแคล่ว |
|---|---|
| ประเภท FET | N-ช่อง |
| เทคโนโลยี | MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ) |
| ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss) | 30V |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C | 10A (ตา) |
| แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส | 2.5V @ 1mA |
| ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds | 1100pF @ 15V |
| Vgs (สูงสุด) | ±20V |
| คุณสมบัติ FET | - |
| การกระจายพลังงาน (สูงสุด) | 2W (ตา) |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs | 10.4 มิลลิโอห์ม @ 10A, 10V |
| อุณหภูมิในการทำงาน | 150°C (ทีเจ) |
| ประเภทการติดตั้ง | พื้นผิวติด |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ซัพพลายเออร์ | 8-HSMT (3.2x3) |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง | 8-PowerVDFN |
| การจัดส่ง | UPS/EMS/DHL/เฟดเอ็กซ์ เอ็กซ์เพรส |
| สภาพ | ใหม่เดิมโรงงาน. |
ผู้ติดต่อ: Darek
โทร: +8615017926135
