ส่งข้อความ
ขออ้าง |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ทรานซิสเตอร์สนามผล

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

วงจรรวม ICS

(7037)

ชิป IC หน่วยความจำ

(2998)

ไอซีแยกอะนาล็อก

(2527)

ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว

(5000)

ทรานซิสเตอร์สนามผล

(1833)

โมดูลพลังงาน IGBT

(1002)

ไดโอด ไตรโอด

(303)

ตัวเก็บประจุวัตถุประสงค์ทั่วไป

(41)

Connectors Interconnects

(83)

ตัวเหนี่ยวนำพลังงาน SMD

(100)

ส่วนประกอบรีเลย์

(203)

ฟิวส์ป้องกันวงจร

(195)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip
CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

ภาพใหญ่ :  CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ต้นฉบับ
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: ต่อรองได้
ราคา: Negotiable
เวลาการส่งมอบ: ต่อรองได้
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
สามารถในการผลิต: 100,000
ติดต่อ

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip

ลักษณะ
ส่วนจำนวน: CGH60120D ผู้ผลิต: เหยียบ/Wolfspeed
คำอธิบาย: RF MOSFET HEMT 28V ตาย หมวดหมู่: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF
ตระกูล: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF

CGH60120D Specifications

Part Status Active
Transistor Type HEMT
Frequency 6GHz
Gain 13dB
Voltage - Test 28V
Current Rating -
Noise Figure -
Current - Test 1A
Power - Output 120W
Voltage - Rated 84V
Package / Case Die
Supplier Device Package Die
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

CGH60120D Packaging

Detection

CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 0CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 1CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 2CGH60120D Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs RF Chip 3

แท็ก:

ทรานซิสเตอร์ภาคสนาม FET,

ทรานซิสเตอร์ Mosfet พลังงาน,

ชิป Mosfet 75Vทรานซิสเตอร์ผลสนามไฟฟ้า

รายละเอียดการติดต่อ
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

ผู้ติดต่อ: Darek

โทร: +8615017926135

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

N-Channel Mos Field Effect Transistor YLPL MOSFETs N-CH 20V6.5A AOSS32136C

รุ่นสินค้า: อสส32136ค

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: สท-23

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 20V6.5A 3 ขา SOT-23

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

IRFB4110PBF ทรานซิสเตอร์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วนสำหรับการป้องกันวงจร

รุ่นสินค้า: IRFB4110PBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-220-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ประเภทสินค้า: ทรานซิสเตอร์สนามผล
N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

N Channel Field Effect Transistor Mosfet อุปกรณ์กึ่งตัวนำแบบแยก IRFS3207ZTRRPBF

รุ่นสินค้า: IRFS3207ZTRRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-263-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต

ขั้วทรานซิสเตอร์: N-ช่อง
การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

การป้องกันวงจรไฟฟ้าชิปทรานซิสเตอร์ Mos IPD060N03LGATMA1

รุ่นสินค้า: IPD060N03LGATMA1

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: TO-252-3

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต N-CH 30V 50A

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

การป้องกันวงจรชิปทรานซิสเตอร์ฟิลด์เอฟเฟกต์ SMD / SMT IRF8736TRPBF 30V 18A

รุ่นสินค้า: IRF8736TRPBF

แพ็คเกจซัพพลายเออร์: SOIC-8

คำอธิบายสั้น ๆ: มอสเฟต มอสเฟต 30V 18A 4.8mOhm 17nC

ประเภทสินค้า: FETs - เดี่ยว
เกี่ยวกับ

วงจรรวม ICS

Cypress Semiconductor วงจรรวม ICS USB วงจรเสาหิน 48TQFP CY7C65632-48AXC

การจัดการแบตเตอรี่วงจรรวม ICS TI BQ20Z65DBTR-R1 ชิปมาตรวัดน้ำมันเชื้อเพลิง

วงจรรวม SMD / SMT ไอซีควบคุมการจุดระเบิด ไดรเวอร์ IR IR2110STRPBF

STM32F405RGT6 ไมโครคอนโทรลเลอร์และโปรเซสเซอร์แบบฝังตัว MCU St 1024 FLASH

STM32F407VET6 ไอซีวงจรรวม

โปรเซสเซอร์และคอนโทรลเลอร์ในตัวของ MCU STM32F103RCT6

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | ประเทศจีน ดี คุณภาพ วงจรรวม ICS ผู้ผลิต. © 2023 integratedcircuitsics.com. All Rights Reserved.