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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6156

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6156

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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo IRF6156

descripción
Número de parte: IRF6156 Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones IRF6156

Situación de la parte Interrumpido en Digi-Key
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 18nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 950pF @ 15V
Poder - máximo 2.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-FlipFet™
Paquete del dispositivo del proveedor 6-FlipFet™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado IRF6156

Detección

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Persona de Contacto: Darek

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