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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMN3AMCTA

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMN3AMCTA

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
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Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMN3AMCTA

descripción
Número de parte: ZXMN3AMCTA Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de ZXMN3AMCTA

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.9A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 120 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 190pF @ 25V
Poder - máximo 1.7W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (3x2)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ZXMN3AMCTA

Detección

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