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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-TP

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-TP

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-TP
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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo 2N7002DW-TP

descripción
Número de parte: 2N7002DW-TP Fabricante: Co comercial micro
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones 2N7002DW-TP

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 115mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 7,5 ohmios @ 50mA, 5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 50pF @ 25V
Poder - máximo 200mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado 2N7002DW-TP

Detección

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