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DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Ampliación de imagen :  DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: DMN3190LDW-13 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

DMN3190LDW-13 Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 87pF @ 20V
Power - Max 320mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package SOT-363
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

DMN3190LDW-13 Packaging

Detection

DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2DMN3190LDW-13 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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