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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de VT6M1T2CR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de VT6M1T2CR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de VT6M1T2CR

descripción
Número de parte: VT6M1T2CR Fabricante: Semiconductores Rohm
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de VT6M1T2CR

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica, impulsión 1.2V
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 100mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 3,5 ohmios @ 100mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 7.1pF @ 10V
Poder - máximo 120mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-SMD, ventajas planas
Paquete del dispositivo del proveedor VMT6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de VT6M1T2CR

Detección

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