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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDPC8011S

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDPC8011S

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDPC8011S

descripción
Número de parte: FDPC8011S Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

Especificaciones de FDPC8011S

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual) asimétrico
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 13A, 27A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 6 mOhm @ 13A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 19nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 1240pF @ 13V
Poder - máximo 800mW, 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDPC8011S

Detección

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