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BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Ampliación de imagen :  BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: BSM180D12P2C101 Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MÓDULO del MOSFET 2N-CH 1200V 180A Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

BSM180D12P2C101 Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 10V
Power - Max 1130W
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type -
Package / Case Module
Supplier Device Package Module
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

BSM180D12P2C101 Packaging

Detection

BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2BSM180D12P2C101 Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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