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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de UM6J1NTN

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de UM6J1NTN

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de UM6J1NTN

descripción
Número de parte: UM6J1NTN Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de UM6J1NTN

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 200mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,4 ohmios @ 200mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 30pF @ 10V
Poder - máximo 150mW
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor UMT6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de UM6J1NTN

Detección

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