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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de QS6M4TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de QS6M4TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de QS6M4TR

descripción
Número de parte: QS6M4TR Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de QS6M4TR

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V, 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 1.5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 230 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 80pF @ 10V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de QS6M4TR

Detección

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