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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHC5513T1G

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHC5513T1G

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHC5513T1G

descripción
Número de parte: NTHC5513T1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 1206A Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de NTHC5513T1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.9A, 2.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 4nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 180pF @ 10V
Poder - máximo 1.1W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SMD, ventaja plana
Paquete del dispositivo del proveedor ChipFET™
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTHC5513T1G

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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