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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TT8J2TR

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TT8J2TR

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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de TT8J2TR

descripción
Número de parte: TT8J2TR Fabricante: Semiconductor de Rohm
Descripción: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A TSST8 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de TT8J2TR

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 2.5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 84 mOhm @ 2.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 4.8nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 460pF @ 10V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SMD, ventaja plana
Paquete del dispositivo del proveedor 8-TSST
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de TT8J2TR

Detección

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