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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS6930B

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS6930B

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS6930B

descripción
Número de parte: FDS6930B Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

Especificaciones de FDS6930B

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 5.5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 38 mOhm @ 5.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 3.8nC @ 5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 412pF @ 15V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDS6930B

Detección

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