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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMC3A16DN8TC

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMC3A16DN8TC

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de ZXMC3A16DN8TC

descripción
Número de parte: ZXMC3A16DN8TC Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de ZXMC3A16DN8TC

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 4.9A, 4.1A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 35 mOhm @ 9A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA (minuto)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 17.5nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 796pF @ 25V
Poder - máximo 1.25W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOP
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de ZXMC3A16DN8TC

Detección

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