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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AO9926BL_101

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AO9926BL_101

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AO9926BL_101

descripción
Número de parte: AO9926BL_101 Fabricante: & alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 8SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones AO9926BL_101

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 7.6A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 23 mOhm @ 7.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 630pF @ 15V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado AO9926BL_101

Detección

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Persona de Contacto: Darek

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