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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L

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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de AON2801L

descripción
Número de parte: AON2801L Fabricante: & alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET P-CH DFN DUAL Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de AON2801L

Situación de la parte Compra de la última vez
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3A (TA)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 120 mOhm @ 3A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 700pF @ 10V
Poder - máximo 1.5W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DFN (2x2)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de AON2801L

Detección

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Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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