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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON7932_101

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON7932_101

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo AON7932_101

descripción
Número de parte: AON7932_101 Fabricante: & alfa; Omega Semiconductor Inc.
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones AON7932_101

Situación de la parte Obsoleto
Tipo del FET Canal N 2 (medio puente)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.6A, 8.1A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 20 mOhm @ 6.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 6.5nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 460pF @ 15V
Poder - máximo 1.4W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-WDFN expuso el cojín
Paquete del dispositivo del proveedor 8-DFN (3x3)
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado AON7932_101

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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