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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7380TRPBF

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7380TRPBF

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Datos del producto:
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de IRF7380TRPBF

descripción
Número de parte: IRF7380TRPBF Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: HEXFET®

Especificaciones de IRF7380TRPBF

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 80V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.6A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 73 mOhm @ 2.2A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 23nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 660pF @ 25V
Poder - máximo 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de IRF7380TRPBF

Detección

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