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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1026UV-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1026UV-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG1026UV-7

descripción
Número de parte: DMG1026UV-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT-563 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMG1026UV-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 410mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,8 ohmios @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.45nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 32pF @ 25V
Poder - máximo 580mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-563
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMG1026UV-7

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

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