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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG6601LVT-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG6601LVT-7

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Datos del producto:
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMG6601LVT-7

descripción
Número de parte: DMG6601LVT-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMG6601LVT-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 3.8A, 2.5A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 55 mOhm @ 3.4A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 12.3nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 422pF @ 15V
Poder - máximo 850mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso SOT-23-6 fino, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor TSOT-26
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMG6601LVT-7

Detección

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