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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3190LDW-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3190LDW-7

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Datos del producto:
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN3190LDW-7

descripción
Número de parte: DMN3190LDW-7 Fabricante: diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMN3190LDW-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 30V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 1A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 190 mOhm @ 1.3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 2nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 87pF @ 20V
Poder - máximo 320mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN3190LDW-7

Detección

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