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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTJD5121NT1G

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTJD5121NT1G

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTJD5121NT1G

descripción
Número de parte: NTJD5121NT1G Fabricante: EN el semiconductor
Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de NTJD5121NT1G

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 60V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 295mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,6 ohmios @ 500mA, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 26pF @ 20V
Poder - máximo 250mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-88/SC70-6/SOT-363
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de NTJD5121NT1G

Detección

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Teléfono: +8615017926135

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