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FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: FDC6305N Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 2.7A SSOT6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

FDC6305N Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 10V
Power - Max 700mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package SuperSOT™-6
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDC6305N Packaging

Detection

FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2FDC6305N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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