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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6306P

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6306P

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6306P

descripción
Número de parte: FDG6306P Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

Especificaciones de FDG6306P

Situación de la parte Activo
Tipo del FET P-canal 2 (dual)
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 600mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 2nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 114pF @ 10V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDG6306P

Detección

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