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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6322C

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6322C

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Datos del producto:
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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDG6322C

descripción
Número de parte: FDG6322C Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET N/P-CH 25V SC70-6 Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones de FDG6322C

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 25V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 220mA, 410mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 4 ohmios @ 220mA, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 9.5pF @ 10V
Poder - máximo 300mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor SC-70-6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDG6322C

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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