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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005DLP4K-7

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005DLP4K-7

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Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo DMN2005DLP4K-7

descripción
Número de parte: DMN2005DLP4K-7 Fabricante: Diodos incorporados
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes

Especificaciones DMN2005DLP4K-7

Situación de la parte Activo
Tipo del FET Canal N 2 (dual)
Característica del FET Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 300mA
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 1,5 ohmios @ 10mA, 4V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 900mV @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs -
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds -
Poder - máximo 400mW
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 6-SMD, ninguna ventaja
Paquete del dispositivo del proveedor X2-DFN1310-6
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado DMN2005DLP4K-7

Detección

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Contacto
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Persona de Contacto: Darek

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