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FDME1024NZT Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDME1024NZT Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Ampliación de imagen :  FDME1024NZT Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

Datos del producto:
Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
Condiciones de pago: T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

FDME1024NZT Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: FDME1024NZT Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

FDME1024NZT Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 10V
Power - Max 600mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 6-UFDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 6-MicroFET (1.6x1.6)
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDME1024NZT Packaging

Detection

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etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

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