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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS4897C

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS4897C

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Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de FDS4897C

descripción
Número de parte: FDS4897C Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

Especificaciones de FDS4897C

Situación de la parte Activo
Tipo del FET N y P-canal
Característica del FET Puerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 40V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 6.2A, 4.4A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 29 mOhm @ 6.2A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 760pF @ 20V
Poder - máximo 900mW
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo Soporte superficial
Paquete/caso 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC
Envío UPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
Condición Nueva fábrica original.

Empaquetado de FDS4897C

Detección

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