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FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Ampliación de imagen :  FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

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Lugar de origen: Original
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Cantidad de orden mínima: Negociable
Precio: Negotiable
Tiempo de entrega: Negociable
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Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays

descripción
Número de parte: FDMB3800N Fabricante: Semiconductor de Fairchild/ON
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET Categoría: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia: Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes Serie: PowerTrench®

FDMB3800N Specifications

Part Status Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 15V
Power - Max 750mW
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-PowerWDFN
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Shipment UPS/EMS/DHL/FedEx Express.
Condtion New original factory.

FDMB3800N Packaging

Detection

FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 0FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 1FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 2FDMB3800N Field Effect Transistor Transistors FETs MOSFETs Arrays 3

etiqueta:

Transistor de efecto de campo del FET,

Transistor del Mosfet del poder,

Transistor de efecto de campo del microprocesador 75VPower del Mosfet

Contacto
KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

Persona de Contacto: Darek

Teléfono: +8615017926135

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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